一、體系原型

       自測半導技術芯片裝修的素材的霍爾效果是介紹方法和介紹半導技術芯片裝修的素材的重點有效途徑。我們公司都會給出霍爾公式的遺漏來判段半導技術芯片裝修的素材的導電款式，是N型還是要P型；霍爾效果從根本上講是體育運動的感應起電再生顆粒在交變靜電場中受洛侖茲經典之作用而造成的偏轉。當感應起電再生顆粒（電商或空穴）被獨立性在固態裝修的素材中，這一種偏轉就導致在垂直在于交流電和交變靜電場的方向下發生正負極正電荷的聚積，進而導致浮動的上下靜電場。給出霍爾公式還有其與攝氏度的的關心都會計算方式載流子的滲透壓，并且 載流子滲透壓同攝氏度的的關心，從此都會斷定裝修的素材的禁帶寬的配置度和不溶物殘渣電離能；憑借霍爾公式和電容率的綜合估測可能斷定載流子的轉遷率，用微分霍爾效果法可測橫縱載流子滲透壓遍布；估測高濕霍爾效果都會斷定不溶物殘渣賠償標準度。

       與其它的軟件測量與眾有所不同的是霍爾規格軟件測量中軟件測量點多、聯系死板，計算方式量大，需加帶水溫和電磁波生態等特征，這里的前提下，人工機械軟件測量都是幾率達到的。霍爾負滯后效應軟件測量模式應該實現目標幾千元到至上萬點的多規格半自動設置測量，模式由Precise S系列表源表，2700 行列式啟閉和霍爾負滯后效應軟件測量軟件 Cyclestar 等組成部分。可在與眾有所不同的電磁波、水溫和感應電流下會按照軟件測量后果計算方式出電阻值率、霍爾指數、載流子氧化還原電位和霍爾遷徙率，并畫制擬合趨勢圖。

二、策劃方案特殊性

       1、標準規定軟件可去在多種電場和多種電流大小具體條件下的霍爾效用和內阻的精確測量；

       2、測評和計算方法整個過程由app軟件會自動進行，就可以屏幕上顯示數據文件和的身材曲線；

       3、決定變溫選件，能對其進行各不相同溫度因素水平下的霍爾邊際效應和內阻的估測；

       4、阻值衡量位置：0.1mW—50MW。

三、自測材質

       1、半導體行業板材：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體板材等；

       2、高電阻值原料：半隔熱的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低阻抗匹配相關的材料：輕金屬、公開硫化物、弱剩磁半導體芯片相關的材料、TMR 相關的材料等。

四、操作系統方式

       霍爾現象測試系統主要是對霍爾電子器件的 I-V 側量，再會按照另一個涉及到的性能參數來計算的出對照的值。

       功率內阻器值率：范德堡法自動測量功率內阻器值率要致力于樣件參與 8 次自動測量。 工業 1、2 加工作的相相電壓交流電工業 4、3 測的的相相電壓，和工業 2、3 加工作的相相電壓交流電工業 1、4 測的的相相電壓，能夠取到的功率內阻器值率稱它為 ρA；接出來了來工業 3、4 加工作的相相電壓交流電工業 2、1 測的的相相電壓，和工業 4、1 加工作的相相電壓交流電工業 3、2 測的的相相電壓，能夠取到的功率內阻器值率稱它為 ρB。但如果樣件粗糙， ρA 和 ρB 特別相似，求我們的平衡值 即能能夠取到樣件的功率內阻器值率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、系統性結構特征

六、系統化配置單

       源表：2臺雙通暢SMU；

       相連線：237-ALG-2，Triax轉大鱷魚夾相連線。

七、模塊分享

       1、可使用霍爾反應、I-V 屬性、R-T 屬性和 R-M 屬性的側量；

       2、能得出規格： 方塊熱敏電阻值、 熱敏電阻值率、 霍爾指數、 霍爾轉移率、 載流子氧濃度和導電的類型；

       3、 R-T 性—不變交變電場，阻值隨室溫而變化無常的性的曲線；

       4、R-M 功能—緊固室溫，內阻隨磁體而的變化的功能線性；

       5、擬合等值線生成功能表：I-V 性能—在區別人體磁場和區別攝氏度狀況下的 I-V 性能擬合等值線；

       6、R-T 屬性—不變人體磁場，熱敏電阻隨溫而波動的屬性申請這類卡種曲線提額；

       7、R-M 屬性—固定住溫度因素，電容隨人體磁場而轉變 的屬性曲線圖。