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PMDT功率器件動態參數測試系統

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PMDT電率電力電子電子元元元器動圖因素表各種考試操作系統就是一款多功能于MOSFET、IGBT、SiC MOS等電力電子電子元元元器的動圖因素表各種考試，可以衛生更加快捷的各種考試電率電力電子電子元元元器的面板開關如何延時和耗損，評估方法電力電子電子元元元器的衛生的工作區，對電力電子電子元元元器和驅動程序用電線路的擊穿保護特點實施確認，精確測量電率零件的雜散電感。機控制系統一般由雙單脈沖的信號會反應器，奪分別率示波器，髙壓感應電流紅外探頭，髙壓電、母線電容器、低雜感母排、主動化測評英文平臺和生活設施測評英文工裝設計包含。機控制系統選配許多測評英文win7驅動板，可所覆蓋觸點控制開關參數設置測評英文、柵極電勢測評英文、不導通測評英文、雪崩測評英文等，日均測評英文就行完整觸點控制開關特征及單向治愈特征測評英文；可立即永久保存測評英文最終結果及弧形曲線美，主動轉化成測評英文數據。

產品特點

● 高電壓達2000V（最大擴展至8kV）
● 大電流達2000A（可擴展至6000A）
● 低寄生電感設計，＜20nH寄生電感
● 安全防護機制，集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化，負載電感自動切換
● 溫度范圍廣，可選高溫模塊(常溫～200℃)或熱流儀(-40℃～200℃)

● 兼容多種封裝，可根據測試需求定制夾具

系統組成.png

測試項目

●  開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性：關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性：反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
●  柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反偏安全工作區：關斷電壓尖峰VCE—peak、關斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

針對于目前上各種打包封裝業務類型的功效半導體材料，如IGBT、SiC、MOS等商品，普賽斯展示成套測式夾具設計化解方案范文，適用于T0單管，半橋模組等商品的測式

測試夾具.png

軟件界面

產品選型

項目	正向電壓	負向電壓	最大電流	脈寬范圍
柵極	0～30V	-20～0V	10A	0.1μs～200μs

項目	最大電壓	最大電流	短路電流
漏極/集電極	2000V	2000A（DPT）	12kA

項目	雜散電感	保護響應時間	工作環境溫度
系統功能	＜20nH	＜2us	常溫～40℃

PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考：

型號	規格	高壓差分探頭	柔性電流探頭
PMDT2003	2000V/300A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(5個): 速率 100M，示值 30AIc(5個): 下行帶寬 30M，滿量程 300A Icsc(15個): 上行寬帶 30M，分度值 12kA
PMDT2010	2000V/1000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X：350V，2000X: 3500V	Ig(一)：速率 100M，示值 30AIc(一)：上行速率 30M，量限 1200A Icsc(1個大概)：資源帶寬 30M，量限 12kA
PMDT2020	2000V/2000A/12kA(短路)	Vds(1個): 帶寬: 500MHz，差分電壓: 200X: 350V，2000X: 3500V	Ig(一個): 服務器帶寬 100M，分度值 30AIc(15個): 帶寬使用 30M，示值 3000A Icsc(8個): 上行帶寬 30M，示值 12kA