盛夏已過，初秋開場

十月的高的溫度還是很久不散日子也免不住被混亂的工作中封魔

直流電大功效(6500V/3000A)IGBT測驗難？伴近年來工作業務需求急、成就重、要高建設項目工程師們壓強山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

根據SiC與Si基本特征的有差異，SiC MOSFET的域值法法電阻具備有不固確定，在元器檢查歷程中域值法法電阻會現嚴峻漂移，出現其電耐磨性檢查或是高溫環境柵偏試驗臺后的電檢查但是嚴峻關鍵在于于檢查先決條件。由于域值法法電阻的精準的檢查，現行制度可信性檢查辦法有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為影響力功率器件任務時導通損失的一決定性特點主要參數，其參數值會隨 VGS 或T的變化無常而調整。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護措施能夠將電壓值或許工作電流規定在SOA區城，制止集成電路芯片損害或炸管。

測試儀必備條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試經濟條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電壓查重控制電路將增進導通工作電壓檢測的表面粗糙度；? SOCKET與PIN交往電容、測試引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流量波形圖自由振蕩；? 路線圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 高級同軸纜線的等效濾波電容與DUT串并聯，SMU測式時持續上升及保持穩定時間長；? 三同軸線纜等效電阻近乎為0。

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