前言

        2030年，世界十大光電電子元件芯片材料服務業群打碎重復高增速，進行校準周期公式。與此養成相比較，在新電力能源各類汽車、太陽能發電、存儲等供給帶來下，3代光電電子元件芯片材料服務業群維持速度發展趨勢，世界十大化供應信息鏈制度也在養成，市場激烈局面日漸確定，服務業群踏入社會如何快速發育期。而在國內3代光電電子元件芯片材料服務業群由之前的生產能利用率力推進和產線搭建，國產3代光電電子元件芯片材料物品持續開發技能好并經過證實，技能穩步推進升級，的生產能利用率力持續增加，國產氧化硅(SiC）電子元件及電源模塊開啟“上機”，綠色生態制度日趨完整，獨立控制業務能力持續提高，整體結構市場激烈實力愈發升級。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022第四代半導體芯片設備芯片設備產業鏈成長 專業市廠研究報告》提示 ，2030年東北地區第四代半導體芯片設備芯片設備輸出電子和紅外光加熱紅外光rf頻射3個研究方向保證 總年產值141.75000萬，較明年發展11.7%，產量一直宣泄。之中，SiC產量發展翻一番，GaN產量發展超30%，添加投入擴產規劃較明年相比以往發展36.7%。直接，根據自動車子專業市廠盡快發展，光伏系統、存儲要拖動，2030年東北地區第四代半導體芯片設備芯片設備輸出電子和紅外光加熱紅外光rf頻射專業市廠總人數高于194.25000萬，較明年發展34.5%。之中，輸出半導體芯片設備芯片設備專業市廠大于105.55000萬，紅外光加熱紅外光rf頻射專業市廠約88.65000萬。

        估計，202兩年多將是第一代半導體設備異彩紛呈的一款月，行業將城市建設發展一款“技術設備如何迅速進展、制造業如何迅速的增加、的格局構造大控牌”的“三國世紀”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        除此之外，第四代寬禁帶半導設備相關材料的實驗也推動著LED燈具品牌的長期不斷進步，從Mini-LED到Micro-LED，長期功能半導設備燈具品牌，況且在大工作電壓激光手術器、太陽光的紫外線滅菌/測探教育領域展現關鍵要的功能。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        階段，電率集成電路工藝材料技術行業器材市場上呈出一體化化和功能組件化、高功效和高安全性、多電平技藝、新型的器材空間結構和工藝流程、智慧化和可相空間等不斷發展潮流潮流和不斷發展潮流方面。電率集成電路工藝材料技術行業器材充當軟件于嚴厲周圍環境下的高電率密度計算公式器材，對器材安全性合適必須都是居于全部的集成電路工藝材料技術行業器材的前列的。但是，對器材精準脫貧的功效自測合適必須、合適使用的場合的安全性自測狀態和精準的沒很好果淺析方式方法將很好的加強電率集成電路工藝材料技術行業器材的產品的功效及安全性表達。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 位置廣，高至300V低至1pA- 較小脈沖發生器：寬度200μs- 精確度度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺最主要3500V電流輸出(可加密10kV)- 檢測的電流量低至1nA- 較準度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出電壓功率達1000A- 兩部串并聯led光通量6000A- 50μs-500μs的脈沖發生器橫向隨意調節- 脈沖造成的邊沿陡(一般日期15us)- 兩路口同歩測試輸出功率(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流電源/激光脈沖多種交流電壓的輸出狀態- 大脈寬交流電，最高的人可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設計方案，1CH/插卡，最大可以支持10通暢

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*部份圖來源地：公開性內容特別整理

*大部分的資料起源：本國的資金時報《本國最后代半導體設備家產綜合性到成長作文期》郭錦輝

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